40Gbps狂飙！三星GDDR7显存获“总统级表彰”

显存技术领域再迎颠覆性突破！12月5日消息，据《韩国时报》报道，三星在首尔举行的2025年度韩国科技节上，重磅展示了速率高达40Gbps的GDDR7显存。这款单颗容量为3GB（24Gb）的新品，凭借顶尖性能斩获“总统级表彰”，成为本次科技节的焦点之一。

这款获奖显存的核心竞争力源于底层技术革新。它采用三星12nm DRAM制程工艺（性能相当于10nm级别），更搭载了三电平PAM3信号编码技术——区别于传统二进制传输，通过-1、0、1三个电平承载信息，让每个时钟周期的数据传输量提升50%，这正是40Gbps高速率的关键支撑，极限场景下峰值速率更能冲到42.5Gbps。同时，通过时钟控制优化与电源门控技术，它在实现高速传输的同时，功耗效率较上一代提升超三成，完美适配AI计算卡、高端显卡对能效比的严苛要求。

值得关注的是，三星在GDDR7赛道已形成“高低搭配”的布局。除了此次展示的40Gbps样品外，此前已有消息称，公司正在量产28Gbps的3GB GDDR7模组，该版本极有可能成为英伟达即将推出的RTX 50系显卡Super中期升级款的标配显存。看似英伟达未选择速度最快的版本有些意外，但实则符合行业惯例——对于显卡厂商而言，量产阶段的成熟方案才能保障供应稳定性，样品阶段的新品难以支撑大规模上市需求，稳定的库存方案是产品顺利落地的核心前提。

三星的强势表现，也点燃了行业巨头的竞争热情。其主要对手SK海力士正蓄势待发，计划在ISSCC 2026（国际固态电路会议）上展示全新高速DRAM产品阵容，其中就包含一款24Gb容量的GDDR7显存。这款产品速率可达28Gbps，更采用独特的对称双通道设计，内部接口的升级让单引脚速率有潜力突破常规预期，单芯片带宽有望从传统的112 GB/s提升至192 GB/s，瞄准中端AI推理等核心场景，展现出强劲的技术实力。

从行业价值来看，GDDR7显存的崛起是对AI大模型推理、4K/8K游戏渲染等算力需求爆炸的精准回应。三星此次的技术突破，不仅填补了GDDR6X与HBM内存之间的市场空白，更有望推动其成为下一代高性能显卡和AI加速卡的主流选择，为终端用户的娱乐与专业创作体验带来全方位革新。

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